О транзисторах; на пальцах

О транзисторах; на пальцах

О транзисторах «на пальцах». Часть 1. Биполярные транзисторы

В этой серии статей мы постараемся просто и понятно рассказать о таких сложных элементах, как транзисторы.

В настоящее время этот полупроводниковый элемент можно найти почти на каждой печатной плате, в каждом электронном устройстве (сотовых телефонах, радиоприемниках, компьютерах и другой электронике). Транзисторы – это основа построения логических микросхем, памяти, микропроцессоров… Давайте разберемся с этим чудом само по себе, как оно работает и чем вызвано такое широкое применение.

Транзистор – это электронный компонент, сделанный из полупроводникового материала, обычно с тремя контактами, который позволяет входному сигналу управлять током.

Многие думают, что транзистор усиливает входной сигнал. Спешу разочаровать – сами по себе, без внешнего источника питания, транзисторы ничего усиливать не будут (закон сохранения энергии еще никто не отменял). Вы можете построить усилитель на транзисторе, но это только одно из его применений, и тогда потребуется специальная схема для получения усиленного сигнала, который разработан и рассчитан для конкретных условий, плюс вам нужно помнить о блоке питания.

Сам транзистор может управлять только током.

Что нужно знать важнее всего? Транзисторы делятся на 2 большие группы: биполярные и полевые транзисторы. Эти две группы различаются по структуре и принципу работы, поэтому мы рассмотрим каждую из них отдельно.

Теперь первая группа транзисторов биполярные транзисторы .

Эти транзисторы состоят из трех полупроводниковых слоев и по своей конструкции делятся на два типа: pnp и npn. Первый тип (pnp) иногда называют транзистором прямой проводимости, а второй тип (npn) – транзистором обратной проводимости.

Что означают эти буквы? В чем разница между этими транзисторами? А почему две проводимости? Как всегда – правда где-то рядом. Все гениальное просто. N отрицательно. P для положительного. Указывает тип проводимости полупроводниковых слоев, из которых состоит транзистор. «Положительный» означает слой полупроводника с «дырочной» проводимостью (где основные носители заряда положительные), «отрицательный» означает слой полупроводника с «электронной» проводимостью (где основные носители заряда отрицательны).
отрицательный знак).

Устройство и назначение биполярных транзисторов показаны на схеме справа. У каждой булавки есть собственное имя. E – эмиттер, C – коллектор, B – база. Как распознать базовый штифт на схеме? Это просто. Его идентифицируют по шайбе, на которой опираются коллектор и эмиттер. Как распознать эмиттер? Это тоже просто. Это колышек со стрелкой на нем. Оставшийся штифт – коллектор. Стрелка на эмиттере всегда указывает в направлении тока. Так, для npn-транзисторов ток протекает через коллектор и базу и выходит из эмиттера, для pnp-транзисторов наоборот – ток течет через эмиттер и вытекает через коллектор и базу.

Углубляясь в теорию… Три полупроводниковых слоя составляют два pn перехода в транзисторе. Один находится между эмиттером и базой, обычно называется эмиттерным переходом, а другой – между коллектором и базой, обычно называемый коллекторным переходом.

Каждый из двух pn-переходов может иметь смещение вперед или назад, поэтому существует четыре основных режима работы транзистора, в зависимости от смещения pn-перехода (помните об этом, если проводящая сторона p-типа имеет более высокое напряжение, чем n – проводящая сторона, это pn переход с прямым смещением, в противном случае с обратным смещением). Ниже, на схемах, иллюстрирующих каждый режим, стрелки показывают направление от более высокого напряжения к более низкому (не направление тока!). Это упрощает навигацию: если стрелка указывает от «p» к «n», это прямое смещение p-n перехода, если от «n» к «p» – обратное смещение.

Режимы работы биполярного транзистора :

1) Если pn-эмиттерный переход направлен вперед, а коллекторный переход направлен назад, транзистор может нормальный активный режим (иногда просто говорят «активный режим» – опуская слово «нормальный»). В этом режиме ток коллектора зависит от тока базы и связан со следующим соотношением: Ic = Ib * β.

Активный режим используется в конструкции транзисторных усилителей.

2) Если на обоих переходах прямое смещение – транзистор в режим насыщения . В этом случае ток коллектора больше не зависит от тока базы в соответствии с приведенной выше формулой (где был коэффициент β), он перестает расти, даже если ток базы продолжает расти. В этом случае говорят, что транзистор полностью открыт или только открыт. Чем глубже мы углубляемся в область насыщения, тем сильнее нарушается соотношение Ik = Ib * β. Внешне это выглядит так, как будто коэффициент β уменьшается. Еще скажу, что есть такое понятие, как коэффициент насыщения. Он определяется как отношение фактического базового тока (который у вас есть в данный момент) к базовому току в предельном состоянии между активным режимом и насыщением.

3) Если у нас есть обратное смещение в обеих точках перехода, транзистор находится в режим отключения . В этом случае через него не протекает ток (за исключением очень малых токов утечки – обратных токов через pn переходы). В этом случае говорят, что транзистор полностью закрыт или только закрыт.

В конструкции транзисторных ключей используются режимы насыщения и отсечки.

4) Если эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный переход смещен в прямом направлении, транзистор входит в обратный активный режим . Этот режим довольно экзотичен и используется редко. Несмотря на то, что на наших рисунках эмиттер такой же, как и коллектор, и в принципе они должны быть эквивалентными (давайте еще раз посмотрим на верхний рисунок – на первый взгляд ничего не изменится, если поменять местами коллектор и эмиттер), на самом деле они имеют отличия в конструкции (например, в размерах) и не эквивалентны. Именно из-за этого несоответствия существует разделение на «нормальный активный режим» и «инверсный активный режим».

Иногда бывает пятый, так называемый, «режим межсетевого экрана». В этом случае база транзистора замыкается на коллектор. На самом деле, правильнее было бы говорить не о каком-то особом режиме, а об особом способе переключения. Режим здесь вполне типичный – близкий к пограничному состоянию между активным режимом и насыщением. Добиться этого можно не только замыканием цоколя на коллектор. В данном случае суть в том, что как бы мы ни меняли напряжение питания или нагрузку, транзистор все равно будет находиться в этом граничном условии. Так что транзистор в этом случае будет эквивалентом диода.

Читайте также:  Обезвоживание своими руками: независимая сборка, инструкции

Пока это теория. Давайте двигаться дальше.

Биполярный транзистор управляется током. Итак, чтобы ток протекал между коллектором и эмиттером (другими словами, чтобы транзистор открылся), ток должен течь между эмиттером и базой (или между коллектором и базой – для реверсивного режима). ). Кроме того, величина базового тока и максимально возможный ток коллектора (при этом базовом токе) связаны постоянным коэффициентом β (коэффициент передачи базового тока): Б * β = I К. .

Помимо β используется еще один фактор: коэффициент передачи тока эмиттера (α). Он равен отношению тока коллектора к току эмиттера: α = Ik / Ie. Значение этого коэффициента обычно близко к единице (чем ближе к единице, тем лучше). Коэффициенты α и β связаны следующим соотношением: β = α / (1-α).

В русских учебниках часто упоминается фактор h. 21Э (коэффициент усиления по току в цепи с общим эмиттером), в зарубежной литературе иногда вместо β h FE . Это все верно, мы обычно можем предположить, что все эти факторы равны, но их часто называют просто «усилением транзистора».

Что это нам дает и зачем это нужно? На рисунке слева показаны простейшие схемы. Они эквивалентны, но состоят из транзисторов разной проводимости. Также есть нагрузка в виде лампочки, переменного резистора и постоянного резистора.

Посмотрим на схему слева. Что там происходит? Представьте, что ползунок переменного резистора находится в верхнем положении. В этом случае напряжение базы транзистора равно напряжению эмиттера, ток базы равен нулю, поэтому ток коллектора также равен нулю (I К = β * I Б ) – транзистор закорочен, лампа не горит. Теперь начнем перемещать ползунок вниз.
– напряжение на нем начинает падать ниже, чем на эмиттере – идет ток от эмиттера к базе (ток базы) и одновременно ток от эмиттера к коллектору (транзистор начнет открываться). Лампа начинает светиться, но не на полную яркость. Чем ниже перемещается ползунок переменного резистора, тем ярче будет светить лампа.

И вот, внимание! Если мы начнем перемещать ползунок переменного резистора вверх, транзистор закроется, и токи от эмиттера к базе и от эмиттера к коллектору начнут уменьшаться. На правой схеме то же самое, только с транзистором с другой проводимостью.

Рассматриваемый режим работы транзистора – это именно активный режим. Что происходит? Электричество движет электричеством? Совершенно верно, но хитрость в том, что коэффициент β можно измерять десятками или
даже сотни. Это означает, что вам нужно только немного изменить ток, протекающий от эмиттера к коллектору, чтобы изменить ток от эмиттера к базе.

В активном режиме в качестве усилителя используется транзистор (с соответствующим пучком).

Устали… давайте немного отдохнем…

Теперь посмотрим, как транзистор работает как ключ. Посмотрим на схему слева. Пусть переключатель S замкнут в положение 1. В этом случае база транзистора подтягивается к плюсу резистором R, поэтому между эмиттером и базой нет тока, а транзистор закрыт. Представьте, что мы устанавливаем переключатель S в положение 2. Напряжение на базе становится ниже напряжения на эмиттере – между эмиттером и базой протекает ток (его величина определяется сопротивлением R). QE протекает немедленно. Транзистор открывается, и загорается лампочка. Если снова установить переключатель S в положение 1, транзистор закроется, и лампа погаснет. (правая схема такая же, только у транзистора разная проводимость)

В этом случае говорят, что транзистор действует как ключ. Что происходит? Транзистор переключается между двумя состояниями: открытым и закрытым. Обычно, когда мы используем транзистор в качестве переключателя – стараемся убедиться, что открытый транзистор близок к насыщению (падение напряжения между коллектором и эмиттером и, следовательно, потери на транзисторе – минимальные). Для этого необходимо специально рассчитать ограничивающий резистор в цепи базы. Обычно избегают состояний глубокого насыщения и глубокого отключения, поскольку в этом случае время переключения ключа из одного состояния в другое увеличивается.

Небольшой пример расчета. Предположим, мы пропускаем лампочку 12 В, 50 мА через транзистор. Транзистор работает как переключатель и в открытом состоянии должен быть близок к насыщению. Падение напряжения между коллектором и эмиттером не будет учитываться, так как для режима насыщения оно на порядок меньше напряжения питания. Поскольку по трубке протекает ток 50 мА, необходимо выбрать транзистор с максимальным током QE не менее 62,5 мА (обычно рекомендуется использовать элементы с 75% от их максимальных параметров, это своего рода резерв) . Откройте справочник и найдите подходящий p-n-p транзистор. Например КТ361. В нашем случае подойдут транзисторы с буквенными индексами «a, b, c, d», потому что их максимальное напряжение составляет 20В, а наша проблема всего 12В.

Предположим, что мы будем использовать KT361A с коэффициентом усиления от 20 до 90. Поскольку мы должны быть уверены, что транзистор гарантированно будет полностью открыт – в расчетах мы примем минимальное значение Kus = 20. Теперь мы думаем. Какой минимальный ток должен протекать между эмиттером и базой, чтобы 50 мА протекали через KE?

50 мА / 20 раз = 2,5 мА

Токоограничивающий резистор какого размера должен быть установлен, чтобы позволить 2,5 мА протекать через BE?

Это просто. Закон Ома: I = U / R. Следовательно, R = (питание 12 В – потери 0,65 В на pn-переходе BE) / 0,0025 A = 4540 Ом. Поскольку в нашем случае 2,5 мА – это минимальный ток, который должен течь от эмиттера к базе, выберите ближайший резистор с меньшим сопротивлением из стандартного диапазона. Например, при отклонении 5% это будет резистор 4,3 кОм.

Теперь об электричестве. Чтобы зажечь лампу номинальным током 50 мА, мы должны переключить ток с силой всего 2,5 мА. И это с дешевым транзистором, разработанным 40 лет назад. Вы чувствуете разницу? Насколько можно уменьшить размер переключателей (и, следовательно, их стоимость) за счет использования транзисторов?

Вернемся еще раз к теории.

В приведенных выше примерах мы использовали только одну из схем переключения транзисторов. Всего, в зависимости от того, куда мы подаем управляющий сигнал и откуда мы получаем выходной сигнал (в зависимости от того, какой электрод является общим для этих сигналов), существует 3 основные схемы переключения биполярных транзисторов (потому что это логично, верно? – транзистор имеет 3 контакта, поэтому, если мы разделим цепи по принципу, что один из контактов общий, всего может быть 3 цепи):

Читайте также:  Детские предохранители для окон можно купить в Москве с доставкой в ​​Россию

1) Схема с общим эмиттером .

Если мы предположим, что входной ток – это базовый ток, входное напряжение – это напряжение на BE-переходе, выходной ток – это ток коллектора, а выходное напряжение – это напряжение между коллектором и эмиттером, тогда мы можем написать: Ivh / Ivh = Ik / Ib = β, Rvh = Ube / Ib.

Кроме того, поскольку Uout = Epit-Ik * R, ясно, что, во-первых, выходное напряжение можно легко сделать намного выше, чем входное напряжение, а во-вторых, что выходное напряжение перевернуто по отношению к входу (как Ube = Uinh и входной ток увеличивается – выходной ток тоже увеличивается, но при этом Uke = Uf уменьшается).

Эта схема включения (для краткости называемая ОЕ) является наиболее распространенной, поскольку позволяет усиливать как ток, так и напряжение, т. е. позволяет получить максимальный прирост мощности. Обратите внимание, что эта дополнительная мощность с усиленным сигналом берется не из воздуха и не из самого транзистора, а из блока питания (Epit), без которого транзистор не может ничего усилить и вообще не будет тока в выходной цепи. . (Думаю – подробнее о том, как именно работают транзисторные усилители и как их рассчитывать, мы напишем позже в отдельной статье).

2) Общий периметр базы .

Здесь входной ток – это ток эмиттера, входное напряжение – это напряжение на переходе BE, выходной ток – это ток коллектора, а выходное напряжение – это напряжение цепи коллектора. Для этой схемы: Iout≈Iinh, потому что Ik≈Ie, Rinh = Ube / Ie.

Эта схема (OB) увеличивает только напряжение, но не ток. В этом случае сигнал не сдвинут по фазе.

3) Схема с общим коллектором (Репитер эмиттера).

В этом случае входной ток – это базовый ток, в то время как входное напряжение подключено к разъему BE транзистора и нагрузки, выходной ток – это ток эмиттера, а выходное напряжение – это напряжение нагрузки, подключенное к цепи эмиттера. . Для этой схемы: Iout / Iin = Ie / Ib = (I К + Я Б )/А ТАКЖЕ Б = β + 1, поскольку обычно коэффициент β достаточно велик, мы иногда рассматриваем I out / Iin≈β. Rvx = Ube / Ib + R. Uvh / Uvh = (Ube + Uvh) / Uvh≈1.

Как мы видим, эта схема (ОК) усиливает ток, а не напряжение. Сигнал в этом случае не сдвинут по фазе. Кроме того, эта схема имеет самый высокий входной импеданс.

Оранжевые стрелки на приведенных выше схемах показывают цепи токов, генерируемых источником питания выходной цепи (Epit) и самим входным сигналом (Uin). Как видите, в схеме с ОВ ток, вырабатываемый ApiT, протекает не только через транзистор, но и через источник усиленного сигнала, а в схеме с ОК, наоборот, – ток, вырабатываемый входом сигнал проходит не только через транзистор, но и через нагрузку (по этим признакам одну схему легко отличить от другой).

Напоследок поговорим о том, как проверить правильность работы биполярного транзистора. В большинстве случаев о состоянии транзистора можно судить по состоянию pn переходов. Если рассматривать эти PN-переходы независимо друг от друга, то транзистор можно рассматривать как набор из двух диодов (как на рисунке слева). В общем, взаимодействие pn-переходов делает транзистор транзистором, но мы не можем учитывать это взаимодействие, потому что мы прикладываем напряжение к контактам транзистора парами (на два контакта из трех). Поэтому проверить эти pn-переходы можно штатным мультиметром в режиме проверки диодов. Если красный зонд (+) подсоединен к катоду диода, а черный зонд к аноду, то pn переход будет закорочен (мультиметр показывает бесконечно высокое сопротивление), если мы поменяем щупы местами, pn переход будет быть разомкнутым (мультиметр показывает падение напряжения на открытом pn переходе, обычно 0,6-0,8 В). Если вы подключите щупы между коллектором и эмиттером, мультиметр покажет бесконечно большое сопротивление, независимо от того, какой щуп подключен к коллектору, а какой к эмиттеру.

1.3. Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими р- п -i с тремя проводами (рис. 1.15). В зависимости от чередования легированных участков различают транзисторы. п-п-п – транзисторы типа (рис. 1.15, а ) и р- н-п -типа (рис. 1.15, б ).

На рис. 1.15, в, г Условные обозначения транзисторов п-п-п и р- н-п- соответственно типы. Контакты транзисторов промаркированы: Э – эмиттер, Б – база, К – коллекционер.

Площади эмиттера и коллектора отличаются тем, что концентрация загрязняющих веществ в зоне эмиттера намного выше, чем в зоне коллектора. Стык, образованный между эмиттером и базой, называется разъем эмиттера а стык, образованный между коллектором и основанием, называется коллекционер .

На рисунке 1.16 показана схема подключения транзистора с подключенными источниками постоянного напряжения и коллекторным резистором. В этом устройстве вывод базы транзистора соединен с корпусом. Поэтому эта схема называется Поэтому эта схема называется схемой подключения транзистора с общей базой (BC).

Различают Четыре режима работы биполярного транзистора :

1) активный режим – эмиттерный переход открыт, а коллекторный переход закрыт (рис. 1.16);

2) выключенный режим – два р- п – закорочены и через транзистор не течет значительный ток.

Для получения этого режима необходимо изменить полярность источника в цепи (см. Рисунок 1.16). Е Э на противоположную полярность в цепи (см. рис. 1.16.);

1) режим насыщения – два р- п -Клеммы транзистора открыты, и через них протекает постоянный ток. Для получения этого режима необходимо изменить полярность источника в цепи (см. Рис. 1.16). Е К на противоположную полярность в цепи (см. рисунок 1.16);

2) обратный режим – Разъем коллектора открыт, а разъем эмиттера закрыт. Для получения этого режима необходимо поменять полярность источников в цепи (см. Рис. 1.16). Е К и Е Э .

В основном активный режим работы используется для усиления и преобразования сигналов. Работа биполярного транзистора в активном режиме основана на явлении диффузии, а также на эффекте дрейфа носителей заряда в электрическом поле.

Читайте также:  Крепление стропил к мауэролату: как крепить с выемкой и без? Виды узлов опорных стропил и способы их соединения, уголки и другие соединители

Работа транзистора в активном режиме

Рассмотрим работу транзистора в активном режиме на примере p-n-p транзистора (рис. 1.16). В этом режиме эмиттерный переход транзистора открыт. Напряжение открытия равно Е Э = 0,4 … 0,7 В.

Через открытый эмиттерный переход течет ток. а также Э ( а также Э = 0,1 … 10 мА для маломощного транзистора). Как правило, концентрация акцепторных загрязнителей в эмиттерной области транзистора во много раз превышает концентрацию донорных загрязнителей в области базы. н- область транзистора. Следовательно, концентрация дырок в эмиттерной области намного больше, чем концентрация электронов в базовой области, и почти весь эмиттерный ток представляет собой дырочный ток.

В одной п-п -коннекторы при рассредоточении отверстий в п -область происходит полная рекомбинация инжектированных дырок с электронами п -область, край. Тот же процесс происходит в эмиттерном переходе транзистора. В этом процессе генерируется базовый ток. а также Б (см. рисунок 1.16). Однако в транзисторе происходят более сложные процессы.

Основная особенность конструкции транзисторов – относительно область тонкого основания ь. Базовая ширина ( В ) в транзисторе намного короче, чем длина свободного пробега отверстий ( Л. ). В современных кремниевых транзисторах В “1 мкм и длина диффузии Л. = 5 … 10 мкм. Таким образом, подавляющее большинство дырок достигает коллекторного перехода до рекомбинации с электронами базы. При входе в перевернутый коллекторный переход отверстия дрейфуют (и ускоряются) в доступное поле перехода.

Пройдя коллекторный переход, дырки рекомбинируют с электронами, поступающими в коллектор от источника питания ( Е К ). Отметим, что этот факельный ток во много раз превышает удельный обратный ток замкнутого коллекторного перехода и практически полностью определяет ток коллектора ( а также К ) транзистора.

Анализ активного режима (рис. 1.16) показывает уравнение для токов транзисторов:

В этом уравнении базовый ток намного меньше, чем ток эмиттера и ток коллектора, a
коллекторный ток почти равен эмиттерному току транзистора.

Связь между токами в транзисторе характеризуется двумя параметрами:

коэффициент передачи тока эмиттера

и базовый коэффициент передачи тока

Используя формулу (1.2), получаем формулу Корреляция коэффициентов передачи :

Значения коэффициентов α и β зависит от конструкции транзистора. Для большинства транзисторов малой мощности, используемых в устройствах связи и компьютерах, коэффициент б = 20 … 200 и коэффициент а также = 0,95 … 0,995.

Усилительные свойства транзистора

Рассмотрим усилительные свойства транзистора. Пусть будет напряжение Е Э = 0,5 В. И пусть это напряжение генерирует электричество а также Э = 5 мА. Мощность, потребляемая для управления транзистором:

Р VX знак равно Е Э а также Э = 0,5 × 5 × 10 -3 = 2,5 мВт.

Пусть сопротивление нагрузки в коллекторной цепи транзистора (рис. 1.17) равно р К = 1 кОм. Коллекторный ток через нагрузочный резистор примерно равен эмиттерному току транзистора: а также К. а также Э . Выходная мощность, передаваемая на нагрузку, равна:

Следовательно, схема (см. Рис. 1.17) обеспечивает десятикратное увеличение мощности. Следует отметить, что для обеспечения такого усиления на коллекторный переход необходимо подать большое блокирующее напряжение:

Е К > В К. ,

где В К. = я К. р К. – падение напряжения в цепи коллектора.

Повышенный выход энергии обеспечивается источником питания в цепи коллектора.

Рассмотрим другие режимы работы транзистора:

– внутри режим насыщения в коллекторном переходе есть постоянный ток. Его направление противоположно направлению тока диффузии дырок. Резко снижается результирующий коллекторный ток и резко ухудшаются усилительные свойства транзистора;

– транзистор редко используется в взаимный поскольку инжекционные свойства коллектора значительно уступают инжекционным свойствам эмиттера;

– в Режим режим отключения все токи через транзистор практически равны нулю – оба перехода транзистора замкнуты накоротко и усилительные свойства транзистора не соблюдаются.

В дополнение к уголовной схеме, две другие диаграммы используются с общей базой данных:

1) После подключения транзистора к корпусу мы добираемся к корпусу излучателя Диаграмма с общим эмиттером (SE) (Рис. 1.17). Система Охо чаще всего встречается на практике;

2) Подключение материнского транзистора к камеруме Диаграмма с совместным коллектором (OC) Отказ В этом макете контрольное напряжение подается в основной выход транзистор.

Зависимость токов, протекающих через клеммы транзистора от напряжения, приложенной к транзисторе, называется Характеристики вольт-амер (Vac) (Va) Характеристики транзисторов.

Для системы с общим излучателем (рис. 1.17) характеризуются коэффициенты транзисторов IAC (рис. 1.18, 1.19). Подобные диаграммы могут быть получены для общей схемы базы данных. Кривые (см. Рис. 1. 18) называются Входные характеристики транзистора Поскольку они показывают зависимость входного тока от напряжения входного управления, применяемого между базой данных и излучателем транзистора. Входные характеристики транзистора близки к характеристикам р- N. -связь.

Зависимость входной характеристики из напряжения коллектора может быть объяснена увеличением ширины разъема коллектора, и, таким образом, уменьшение толщины основания с увеличением обратного напряжения на транзисторном коллекторе (эффект Earle).

Кривые (см. Рис. 1.19) называются Выходные характеристики. Транзистор Отказ Они служат для определения тока транзистора. Увеличение тока коллектора соответствует росту контрольного напряжения на основе транзистора:

На странице в Показывать £. В нас (См. Рис. 1.19), напряжение на транзисторном коллекторе становится ниже натяжения на основе. В этом случае коллекционеры транзистора открываются и насыщены
В этом случае транзисторный коллектор открывается, и состояние насыщения происходит.

С высоковольтным коллектором ток коллектора начинает расти, потому что есть лавина (или термический) процесс пронзительного соединителя транзистора.

Анализ транзистора CVC показывает, что транзистор, как диод, относится к нелинейным элементам. Однако в активном режиме в в Показывать > В нас Ток Transistor Collector различается примерно пропорционально пропорционально включенному включению напряжения транзисторного управления, то есть выходная цепь транзистора близка к идеальному контролю источника тока. Ток коллектора в активном режиме почти не зависит от нагрузки, подключенного к транзисторному коллектору.

Оцените статью
Добавить комментарий